N-Channel MOSFET
產(chǎn)品描述
SFG60N03AT 采用穩(wěn)先微電子先進的高密度溝槽技術制造，低導通電阻，高雪崩擊穿耐量，可廣泛應用于電工工具，鋰電保護，PD快充和直流無刷電機等應用。
主要特點
30V, 60A
RDS(ON) =4.8mΩ (Max.) @ VGS = 10V, ID = 30A
低柵極電荷
規(guī)格書
| 文檔名稱 | 文檔描述 | 下載 |
|---|---|---|
| SFG60N03AT_EN_A0 | 497KB |
N-Channel MOSFET
SFG60N03AT 采用穩(wěn)先微電子先進的高密度溝槽技術制造，低導通電阻，高雪崩擊穿耐量，可廣泛應用于電工工具，鋰電保護，PD快充和直流無刷電機等應用。
30V, 60A
RDS(ON) =4.8mΩ (Max.) @ VGS = 10V, ID = 30A
低柵極電荷
| 文檔名稱 | 文檔描述 | 下載 |
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| SFG60N03AT_EN_A0 | 497KB |
